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多油斷路器介質(zhì)損耗因素測(cè)量方法及規(guī)程

多油斷路器

用介質(zhì)損耗測(cè)試儀測(cè)量多油斷路器的tanδ值,主要是檢查套管和油箱內(nèi)部絕緣部件(如滅弧室、提升桿絕緣圍屏和絕緣油等)的絕緣狀況,現(xiàn)場(chǎng)測(cè)試可按以下步驟進(jìn)行。

試驗(yàn)步驟

在合閘狀態(tài)分別測(cè)量三相整體(包括絕緣提升桿和套管)的tanδ和電容值(此項(xiàng)測(cè)量在需要時(shí)進(jìn)行)。

在分閘狀態(tài),測(cè)最每只套管和滅弧室的tanδ和電容值,當(dāng)測(cè)得的tanδ值超出試驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn)或與以前比較顯著增大時(shí),應(yīng)進(jìn)行分解試驗(yàn),即:

a)落下油箱或放去絕緣油(指油箱無法落下者)使滅弧室露出油面,如tanδ明顯下降者,則是絕緣油和油箱絕緣圍屏絕緣不良;

b)如tanδ無明顯下降變化,則應(yīng)擦凈油箱內(nèi)瓷套表面再試,如tan8明顯下降則是套管臟污;

c)如tanδ無明顯變化,則可卸去滅弧室的屏罩再試,如tanδ明顯下降,則是屏罩受潮,否則拆滅弧室;

d)如拆卸滅弧室后 tanδ明顯降低,則說明滅弧室受潮,否則說明套管絕緣不良。

介質(zhì)損耗測(cè)試儀

使用M型介質(zhì)試驗(yàn)器時(shí),分別在合閘與分閘狀態(tài)下測(cè)試有功功率(mW)的差值,以確定絕緣的部位;合閘毫瓦值與分閘同相的兩套管毫瓦值的和之差,此差值為正值時(shí),說明提升桿和導(dǎo)向板受潮。差值為負(fù)值時(shí),說明滅弧室受潮或臟污。

試驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn)

DL/T474.3-2006

多油斷路器的非純瓷套管和斷路器的tanδ值(%)標(biāo)準(zhǔn)見DL/T596規(guī)定。

按步驟試驗(yàn)時(shí),毫瓦差值在士9mW以內(nèi)者為合格,差值在士(9mW~l6mW)范圍內(nèi)時(shí)尚可使用。若差值超過士16mW,則應(yīng)立即處理,不能繼續(xù)使用。

現(xiàn)場(chǎng)測(cè)量的干擾影響和消除方法

電場(chǎng)干擾

被試設(shè)備周圍不同相位(如A、B、C三相)的帶電體與被試設(shè)備不同部位間存在電容耦合,這些不同部位的耦合電容電流(干擾電流)沿被試品和電橋測(cè)量電路(正、反、側(cè)接線)流過,形成電場(chǎng)干擾,對(duì)現(xiàn)場(chǎng)tanδ的測(cè)量造成誤差。由于被試設(shè)備結(jié)構(gòu)不同,其受電場(chǎng)干擾情況也不同。

電場(chǎng)干擾影響的消除方法

屏蔽

在部分停電的現(xiàn)場(chǎng),對(duì)可能受到鄰近帶電物體電場(chǎng)影響的被試品,特別是直接與電橋連接的暴露的被試品電極,在可能條件下用內(nèi)側(cè)有絕緣層的金屬罩、鋁箔等加以屏蔽,屏蔽罩接地,以減少電場(chǎng)干擾的影響。

選相倒相法

對(duì)于干擾電源和試驗(yàn)電源同頻率時(shí),可以利用選相倒相法,通過計(jì)算的方法消除干擾電流對(duì)被試品從高壓端、中間電容屏或末端電容耦合的影響。一般情況下,測(cè)量時(shí)將電源正、反倒相各測(cè)一次即可,若作反接線測(cè)量,且測(cè)得的 tanδ>15%時(shí),應(yīng)將電源另選一相測(cè)試,使tanδ≤15%為止。

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